MOS, MOSFET'in kısaltmasıdır. Tam adı Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör'dür (MOSFET). MOSFET'in en temel ve yaygın olarak kullanılan işlevi, G seviyesine voltaj uygulayarak S ve D arasındaki açık ve kapalıyı kontrol etmektir ve yaygın olarak elektronik bir anahtar olarak kullanılır.
MOS transistörünün temel yapısı
MOS'un başlıca özellikleri şunlardır:
1. Kapı voltajı için yüksek giriş empedansı ve MOS transistör kapısı yalıtkan bir film oksite sahiptir, ancak kapı statik elektrik ve yüksek voltaj tarafından kolayca bozulur ve daha sonra geri dönüşü olmayan hasara neden olur.
2. Düşük dirençli, miliohm seviyesine ulaşabilen ve düşük kayıplı.
3. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük anahtarlama kaybı.
MOS'un ana elektriksel karakteristik parametreleri ve gerçek test sonuçları
MOS'un ana elektriksel parametre özellikleri
MOS’un özelliklerine göre MOS kullanımında en çok dikkate alınan elektriksel karakteristik parametreler şunlardır:
• BVDSS (kaynak drenaj arıza voltajı)
DS arasındaki voltaj direncini değerlendirmek için kullanılır. Yüksek güçlü MOS için, DS arasındaki dayanım voltajının genellikle kilovolt seviyesinde olması gerekir. PROBE'u wafer seviyesi testi için kullanırken, genellikle yonga yüzeyindeki hava bozulmasından kaynaklanan hasarı önlemek için yalıtım flor yağı koruması kullanılır.
• IDSS (Kaynak Kaçak Akımı)
DS kanalı kapalıyken oluşan kaçak akım ve MOS'un çalışmadığı durumdaki DS kaybı genellikle uA seviyesindedir.
• IGSS (Kapı Kaçak Akımı)
Belirli bir kapı voltajı altında kapıdan akan kaçak akım.
• Vth (Eşik voltajı)
Drenajın akım geçirmeye başladığı kapı voltajı.
• RDS (açık) (dirençte)
DS arasındaki iletim direnci, açıldığında MOS'un iletim kaybıyla ilişkilidir. RDS (açık) ne kadar büyükse, MOS kaybı o kadar yüksektir. RDS (açık) genellikle m Ω seviyesindedir. PROBE'u wafer testi için kullanırken, metal probun kendi direncinin etkisini ortadan kaldırmak için DS arasında dört telli bir test ortamı kullanılır. Yüksek güçlü MOS'un testi için yüksek güçlü problar kullanılır ve anlık akım yüz amper seviyesine ulaşabilir.
Genellikle endüktif yüklerden ters akım geçirmek için kullanılır.
• Ciss (giriş kapasitörü)
Ciss, kapı drenaj kapasitansı Cgd ve kapı kaynak kapasitansı Cgs'nin paralel bağlanmasıyla oluşur. Sürücü devresi ve Ciss, cihazın açma ve kapama gecikmesi üzerinde doğrudan bir etkiye sahiptir.
• Coss (çıkış kapasitörü)
Coss, paralel bağlanmış bir drenaj kaynak kondansatörü Cds ve bir kapı drenaj kondansatörü Cgd'den oluşur ve bu da devrede rezonansa neden olabilir.
• Crss (ters transfer kondansatörü)
Ters transfer kapasitansı, Miller kapasitansı olarak da bilinen kapı drenaj kapasitansı Cgd'ye eşdeğerdir ve anahtarın yükselme ve düşme süresi için önemli parametrelerden biridir ve kapanma gecikme süresini etkiler. MOS transistörünün kapasitansı, özellikle çıkış kapasitansı ve ters iletim kapasitansı olmak üzere drenaj kaynak voltajının artmasıyla azalır.
Qgs, Qgd, Qg-kapı ücretleri
Kapı şarj değeri, terminaller arasındaki kapasitans üzerinde depolanan şarjı yansıtır. Anahtarlama anında, kapıda depolanan şarj voltajla değişir ve kapı şarjının etkisi, kapı sürücü devreleri tasarlanırken sıklıkla dikkate alınır.
Çıkış karakteristik eğrisi
Farklı VGS altında drenajdan geçen akım ile drenaj ve kaynak arasına uygulanan gerilim arasındaki ID-VDS ilişkisi.
Transfer Karakteristik Eğrisi
Bir MOS transistörün belirli bir VDS altındaki doyma bölgesindeki drenaj akımı ile kapı kaynak voltajı (ID-VGS) arasındaki ilişki.
GRGTEST MOS elektriksel karakteristik parametre test yeteneği
GRGTEST, MOS transistörlerde paket seviyesinde ve gofret seviyesinde (paketlemeden önce ve açıldıktan sonra) elektriksel karakteristik parametre testi yapabilen yüksek güçlü bir grafiksel cihaz ve prob test platformu ile donatılmıştır.
GRGTEST'te bulunan MOS'a özel test ortamı, 3kV'luk (HVSMU, yüksek gerilim modülü) maksimum kaynak drenaj voltajı, 1,5kA'lik maksimum akım (UHCU, yüksek akım modülü), 100V'luk maksimum kapı voltajı, 10fA'lik akım doğruluğu ve 25 μ V'luk gerilim doğruluğu elde edebilmektedir. Dinamik parametre testleri için frekans aralığı 1kHz~1MHz'e, MOS karakteristik kapasitans test aralığı ise 100fF~1 μF'ye ulaşabilir.
Prob test platformu